A Samsung Electronics anunciou na última quinta-feira (18) que vai iniciar a produção em massa de novos chips de memória RAM LP-DDR 3 com capacidade de 6 Gb. Fabricados usando um processo de 20 nanômetros, esses hardwares são voltados para uso em dispositivos móveis como tablets e smartphones.
Segundo a empresa, os novos chips possuem a capacidade de transferência por pino de 2,133 MB/s. Quando quatro chips de 6 GB são agrupados, isso resulta na possibilidade de criar um módulo LP-DDR3 de 3 GB aproximadamente 20% menor do que as opções disponíveis atualmente no mercado.
Os novos chips também prometem oferecer um desempenho 30% maior ao mesmo tempo em que consomem uma quantidade 10% menor de energia para funcionar. Até o momento, não se sabe qual vai ser o primeiro produto comercial a se beneficiar do avanço obtido pela Samsung na área.
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