Pesquisadores noruegueses conseguiram desenvolver o primeiro método de produção em massa de semicondutores feitos em grafeno. A descoberta, que tem potencial para revolucionar o mundo da tecnologia, envolve “bombear” a superfície de uma placa de semicondutores com átomos de gálio e moléculas de arsênico, resultando em uma rede de fios com tamanho nanométrico.
Como resultado do novo método, os cientistas obtêm um material híbrido com espessura de somente um micrômetro com propriedades semicondutoras. Em comparação, os semicondutores de silício utilizados atualmente pela indústria dos eletrônicos são centenas de vezes mais grossos — situação que faz com que eles sejam mais propensos a mudanças de temperatura, iluminação e aos efeitos da adição de outros átomos.
Potencial revolucionário
Um dos materiais mais finos e resistentes conhecidos pela humanidade, o grafeno é constituído por uma única camada transparente e maleável de átomos de carbono. Além de conduzir de forma eficiente a eletricidade sem se aquecer muito durante o processo, o elemento chama a atenção por ser extremamente barato de ser produzido.
(Fonte da imagem: Reprodução/The Research Council of Norway)
“Levando em consideração que é possível fabricar semicondutores usando grafeno no lugar do silício, podemos fazer componentes que são mais baratos e eficientes do que aqueles disponíveis atualmente no mercado”, afirma o Dr. Helge Weman, da Norwegian University of Science e Technology (NTNU).
“Um material que possui uma base maleável e que também é transparente abre todo um novo mundo de oportunidades, do qual sequer tocamos a superfície”, afirma o pesquisador. “Isso pode gerar uma revolução na produção de células solares e componentes em LED. As janelas tradicionais de uma casa podem virar painéis solares ou telas de TV. Displays de telefones portáteis poderão ser embrulhados ao redor do pulso da mesma forma que um relógio. Em resumo, o potencial é tremendo”, complementa Weman.
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