Nesta segunda-feira (9), a SK Hynix anunciou o desenvolvimento de um novo módulo de memória com capacidade total de 8 GB. A empresa apresentou ao público um novo chip constituído de duas peças de 8 Gigabits ligadas em uma configuração dual-channel agrupada em quatro camadas que, somadas, equivalem a 64 Gigabits — ou 8 GB de memória DRAM.
Com o anúncio, se reacendem os rumores de que o Galaxy S8 pode adotar essa quantidade de memória em sua configuração final. Embora a SK Hynix e a Samsung sejam competidoras no mercado de memórias para dispositivos mobile, não se descarta que elas estabeleçam uma parceria na produção do novo smartphone.
O módulo deve estar presente nos principais lançamentos de 2017
Segundo a Hynix, seu novo módulo de memória ocupa 30% a menos de espaço que os chips LPDDR4 disponíveis atualmente no mercado — além disso, ele tem uma eficiência energética 20% maior. Batizados como “LPDDR4X”, os novos módulos devem ser bastante usados em 2017 por smartphones top de linha, em uma lista que também pode incluir o novo iPhone.
Vale notar que tudo isso não passa de especulações no momento atual, visto que nenhum plano definitivo foi divulgado por qualquer fabricante. No entanto, não vai ser nenhuma surpresa se, já no Mobile World Congress 2017, começarmos a ver alguns anúncios baseados no novo chip de 8 GB aliados a chipsets top de linha como o Snapdragon 835.
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