Um novo benchmark divulgado na última quinta-feira (2) pelo Geekbench mostra que o Snapdragon 820 deve incorporar quatro núcleos Kryo em sua estrutura. O novo chipset deve utilizar a técnica de fabricação de 14 nanômetros da Samsung como uma forma de se distanciar dos problemas de superaquecimento que assombraram o Snapdragon 810.
O teste em questão mostra os núcleos do processador rodando a 1,46 GHz, uma velocidade muito abaixo dos 3 GHz esperados para a versão comercial. Com isso, o chipset obteve 714 pontos em seu desempenho single core, enquanto a performance multi-core ganhou 1.942 pontos — valores que devem subir consideravelmente na versão final do hardware.
A Qualcomm afirma que as primeiras amostras do Snapdragon 820 vão ser testadas durante o segundo semestre deste ano, o que indica que os primeiros aparelhos a usar a novidade só devem ser lançados no início de 2016. No entanto, rumores apontam que a Xiaomi vai lançar um novo flagship com o chipset em outubro deste ano, o que pode indicar que a novidade vai estar ao alcance nossas mãos antes do previsto pela companhia.
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