A estrutura do grafeno. (Fonte da imagem: Reprodução/Wikipédia)
O grafeno sempre figura em uma série de notícias como um composto revolucionário na indústria de eletrônicos, mas dificilmente é visto colocado em prática. Isso ocorre porque essas partículas ainda não conseguem resultados melhores que o silício, que domina o mercado, e porque manusear a substância ainda possui algumas dificuldades. Agora, uma descoberta da Universidade da Pensilvânia pode finalmente mudar esse quadro.
Os pesquisadores apostam na união de camadas de grafeno com outra substância, o nitreto hexagonal de boro (hBN). Esse composto, que “mede” algumas centenas de átomos, pode ser usada como transistor para dispositivos eletrônicos. O desempenho seria até três vezes maior que o normal – mas ainda insuficiente para superar o silício.
Aí vem o conceito que pode revolucionar o caso: como o boro (do hBN) e o carbono (do grafeno) se relacionam bem a nível de elétrons, foi possível produzir essa união em larga escala e em maior tamanho, utilizando átomos de hidrogênio para “grudar” as duas substâncias.
Ainda assim, apesar da boa notícia, a integração entre os elementos é apenas uma descoberta inicial, que pode levar anos para ser aplicada em eletrônicos comercialmente viáveis. Além disso, trocar o silício por outro composto levaria toda a indústria a se moldar ao novo formato – tarefa ainda mais difícil do que desvendar os segredos do uso do grafeno.
Fonte: Laser Focus World
