A Samsung apresentou hoje (17) as primeiras memórias DRAM LPDDR5 de 8 Gb do mundo. Feitas sob um processo litográfico de 10 nanômetros, as peças chegam prontas para o futuro com suporte para conexões 5 GB e recursos avançados para lidar com aplicações de inteligência artificial (AI) e aprendizado de máquina.
“O desenvolvimento da LPDDR5 de 8 Gb representa um grande passo adianto para as soluções de memória de baixo consumo energético para portáteis”, celebra Jinman Han, vice-presidente sênior de Engenharia de Aplicações & Planejamento de Produtos de Memória da Samsung.
As novas memórias DRAM LPDDR5 realizam transferências de dados a uma velocidade de até 6.400 Mbps, valor máximo 1,5 vez superior ao alcançado pelas atuais memórias LPDDR4X (4.266 Mbps). Tudo isso é favorecido por uma arquitetura de circuito otimizado para alta velocidade, resultando em um conjunto capaz de transferir até 51,2 GB de dados em apenas um segundo, garante a Samsung.
Samsung anunciou hoje (17) que completou os testes com os protótipos das novas memórias DRAM LPDDR5.
Além de potência a baixo consumo energético, a Samsung promete ainda versatilidade em seus novos chips. Isso porque a companhia disponibilizará as novas memórias DRAM em duas larguras de banda e voltagens distintas: 6.400 Mbps a 1,1 volts e 5.500 Mbps a 1,05 V.
A fabricante informa que completou os testes com oito protótipos da nova memória DRAM LPDDR5 de 8 Gb e, ainda sem determinar uma data específica, planeja iniciar a sua produção em massa na fábrica localizada em Pyeongtaek, na Coreia do Sul. Vale destacar que o novo recurso não estará presente nos produtos deste ano da empresa e provavelmente nem mesmo nos de 2019.
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