Num evento realizado pela Qualcomm, em Hong Kong, para falar do 4G e da implementação do 5G, a Samsung aproveitou seu espaço para falar do lançamento de novas tecnologias, que interferem diretamente na performance dos smartphones: o armazenamento interno e a memória RAM.
Todos os anos, uma nova revisão de um mesmo modelo de smartphone é lançada. Para que ele traga performance superior em relação à geração passada, o mais comum é que ele receba um novo processador e tenha um acréscimo de memória RAM. Entretanto, para que esses aparelhos continuem evoluindo, a tecnologia empregada no armazenamento interno e na RAM precisa ser atualizada, o que acontece numa frequência muito mais lenta do que com os processadores, por exemplo.
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Sobre a memória interna (onde são instalados o sistema operacional e todos os outros aplicativos), a Samsung anunciou que, a partir do ano que vem, vai passar a utilizar o padrão UFS 3.0. Estes chips serão fabricados usando as mais recentes tecnologias 3D NAND, onde, além de dobrar a velocidade de leitura e escrita em relação ao atual padrão UFS 2.1, ainda permite o aumento do armazenamento de forma muito mais fácil. Os primeiros smartphones usando o UFS 3.0 virão com opções de 128, 256 e 512 GB.
No caso da memória RAM, a sul coreana pretende implementar o padrão LPDDR5 em 2020. A RAM é a memória onde os apps que estão em uso, além de processos do sistema, ficam armazenados até serem fechados. O novo padrão terá um consumo de energia 20 por centro menor e uma largura de banda máxima de 51,2 GB/s. Para efeito de comparação, isso significa mais que o dobro de velocidade em relação ao atual LPDDR4 (25 GB/s), que está em uso desde 2014.
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Fontes
