(Fonte da imagem: Reprodução/Ars Technica)
Consideradas por muitos como as possíveis sucessoras da tecnologia flash, as memórias de acesso aleatório com mudança de fase (PRAM) ainda estão longe de se tornar o padrão da indústria. Entre os principais obstáculos enfrentados por esse tipo de dispositivo está a sua velocidade de escrita limitada, que se mostra mais lenta do que nas memórias RAM convencionais.
Essa história está prestes a mudar graças a uma descoberta da Universidade de Cambridge, que bolou um meio capaz de fazer com que os materiais que compõem a tecnologia sejam cristalizados de forma muito mais acelerada. Segundo os responsáveis pelo projeto, testes em laboratório atingiram uma velocidade de gravação de 500 picossegundos, marca 10 vezes mais rápida do que o recorde anterior.
Os pesquisadores acreditam que isso pode levar ao desenvolvimento de memórias que oferecem o armazenamento permanente de dados com taxa de atualização de 1 GHz ou mais. Isso significaria a possibilidade de serem criados produtos muito mais eficientes do que os dispositivos SSD disponíveis atualmente.
Até o momento, não há perspectiva de quando a descoberta vai ter reflexos em produtos vendidos em grande escala. O próximo desafio enfrentado no desenvolvimento das memórias PRAM será conciliar a voltagem usada nos dispositivos do tipo com os custos que isso implicaria para os consumidores finais.
Fonte: Ars Technica
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