(Fonte da imagem: Divulgação/Samsung)
A Samsung anunciou que seus novos componentes de memória RAM DDR3 com processos de 20 nanômetros já estão em produção comercial. Ou seja, em breve os novos dispositivos estarão à venda em todo o mundo, garantindo que os consumidores possam instalar memória com mais velocidade em seus computadores.
Com processos de 20 nanômetros — 5 nm menores do que os dos atuais pentes de memória vendidos em todo o mundo —, a nova memória da Samsung promete oferecer mais velocidade para os consumidores, da mesma forma que acontece com os circuitos de processadores. Além disso, a empresa promete também uma redução de 25% no consumo de energia em relação à geração anterior.
Como a fabricante informou em nota oficial, os novos pentes de memória RAM terão 4 GB de capacidade — quase dobrando também a velocidade em relação aos módulos de 30 nanômetros. Apesar de a Samsung informar que os dispositivos já estão em produção comercial, não há detalhes sobre quando os novos pentes serão colocados nas prateleiras.
Vale dizer que um dos grandes desafios da Samsung está em criar mecanismos para aumentar ainda mais as capacidades dos pentes de memória. Segundo a empresa, a tecnologia de fotolitografia utilizada na fabricação dos módulos de 20 nm será vital para garantir que pentes com processos de 10 nanômetros sejam produzidos no futuro.
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