A HP pretende lançar nova tecnologia para competir com a memória flash em um ano e meio. Além disso, a empresa almeja apresentar um produto (em um período entre três e quatro anos), que faça com que as memórias DRAM e SRAM se tornem completamente ultrapassadas até, no máximo, 2015.
A tecnologia da qual a HP está falando é chamada de memristor, que consistem em fios de metal feitos de dióxido de titânio. Quando uma corrente elétrica percorre um deles por uma direção em particular, a resistência do fio muda. Assim, eles podem substituir a memória RAM, escrevendo os bits (0 ou 1) em uma direção ou na outra, além da capacidade de ler o estado de atividade (medindo a resistência do fio).
Assim como a memória flash, os memristors podem armazenar os dados sem precisar de uma fonte de alimentação própria. A grande vantagem do novo sistema é que as informações armazenadas neles podem durar por anos, além de permitir a gravação e leitura de maneira muito mais rápida sem a perda dos dados.
Com isso, a capacidade de armazenamento será aumentada. Além dela, a velocidade de leitura e gravação também apresentará uma mudança de desempenho considerável. Os memristors também consomem uma menor quantidade de energia do dispositivo no qual estão instalados, o que é excelente para poupar bateria.
A estimativa da HP é lançar a primeira versão do produto, com o nome de ReRAM (Resistive Random Access Memory) no mercado, em 2013. Não houve qualquer pronunciamento sobre uma estimativa de valor para a nova memória.
Categorias
