A Toshiba revelou hoje novos avanços no estudo de memória flash – aquelas usadas em pendrives e cartões de memória – que vai permitir a criação de dispositivos de armazenamento ainda maiores com custo relativamente baixo.
O segredo está no que chamam de quadruple-level cells, ou células de quatro níveis. Funciona assim: os blocos de memória de uma memória flash podem ser subdivididos em partes para armazenar ainda mais dados. O que se tem por aí hoje são blocos divididos em três, ou seja, com 3 bits, ou ainda com oito níveis de carga (os divididos em dois têm quatro níveis de carga).
Tecnologia avançada
Podemos esperar um aumento veloz no espaço de pendrives e outros dispositivos de memória, apesar da maior densidade de armazenamento, que pode diminuir a durabilidade
O que a Toshiba anunciou chegaria pela primeira vez em quatro divisões, com 16 níveis de carga e 4 bits de informação por bloco. Isso amplia a capacidade de armazenamento das memórias flash e o faz de maneira surpreendente, visto que esse é um passo há pouco tempo considerado muito difícil de ser dado, visto que é necessária uma precisão enorme para diferenciar quatro partes em um único bloco.
Isso significa que podemos esperar um aumento veloz no espaço de pendrives e outros dispositivos de memória, apesar da maior densidade de armazenamento, que pode diminuir a durabilidade e a velocidade de transmissão de dados, mas têm um custo bem menor.
Ainda não há informações sobre quando essa tecnologia vai ser comercializada com o público geral.
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